Introduction
Un transistor de hauteur 6 mm
et de diamètre 4 mm, est surmonté d'un dissipateur thermique
de conductivité thermique 200 W/(m.K)
(Aluminium).
Il y a 12 ailettes d'épaisseur 0.7 mm et
de hauteur 10 mm. Le montage introduit
une resistance thermique de 10•e-3 (K.m²)/W.
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coefficient de convection : 25 W/(K.m²)
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température ambiante : 20 °C
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Question / Réponse
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Quelle est la puissance maximale admissible
pour que la température du transistor n'excède
pas 80 et 125°C ?
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Le contact thermique sera équivalent à un secteur de 0.2 mm d'épaisseur,
dont la conductivité est définie par conductivité thermique = e / k (e épaisseur,
et k conductivité thermique). Ici k ( appelé "contact" dans le modèle ) = 0.0002 / 0.0001 = 0.2 W/(K.m²)
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Ne pas oublier de multiplier par quatre le résultat obtenu puisque seulement un quart
du modèle est représenté dans QuickField. le contour est choisi sur le pourtour du corps du transistor.
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L'efficacité de l'ailette ( η = 0.988 ) est donnée à titre d'information. le moyen de calculer ce
coefficient sera donné ultérieurement dans la partie "Blog".
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Réponse : 1.45 W (resp. 2.54 W ) si la température du transistor peut
atteindre 80 °C (resp. 125 °C). Le modèle "Student" donne 1.43 W pour 80 °C.
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